Графен! (05.10.2010)

Нобелевская премия в области физики 2010 года присуждена выходцам из России, работающим в Великобритании, Андре Гейму и Константину Новосёлову "за новаторские эксперименты по исследованию двумерного материала графена", как говорится в сообщении на официальном сайте премии.

Константин Новоселов родился в 1974 г. в Нижнем Тагиле, имеет британское и российское гражданство и является профессором и членом Королевского научного общества Манчестерского университета.

Андре Гейм родился в 1958 г. в Сочи, является гражданином Нидерландов. С 1976 по 1982 год Гейм обучался в МФТИ на факультете общей и прикладной физики. Получил степень кандидата физико-математических наук в Институте физики твердого тела АН СССР. Затем работал научным сотрудником в Черноголовке, Ноттингемском университете, университете Бата, а также непродолжительно в Копенгагене, перед тем как стал профессором в университете Неймегена. В настоящее время он руководит Манчестерским центром по "мезонауке и нанотехнологиям" и является главой отдела физики конденсированного состояния. За научные достижения ему был присвоен титул "профессор- исследователь Лэнгворзи". В 2007 году британский Институт физики наградил Гейма медалью Мотта и премией за "открытие нового класса материалов – двумерных кристаллов, в частности графена".

Гейм и Новоселов начали работать вместе еще в Нидерландах, а затем они оба перебрались в Великобританию. В 2004 году они экспериментально доказали возможность получения наноматериала графена – особой формы углерода, представляющей собой лист толщиной в один атом. Про графен на нанометре было написано много слов.

Эта номинация – самая успешная для российских ученых: десять раз они назывались в ней лауреатами Нобелевской премии. В 2003 году Алексей Абрикосов и Виталий Гинзбург совместно с британцем Энтони Легеттом получили эту престижнейшую награду "за новаторский вклад в теорию сверхпроводников". Нобелевский лауреат 2000 года Жорес Алферов удостоен премии за разработку концепции полупроводниковых гетероструктур и ее использованию в оптоэлектронике и электронике высоких скоростей.

Церемония вручения награды пройдет в Стокгольме 10 декабря. 

Нанометр